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SIHFB20N50K	文件：204.02 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalanche,anddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent ?LowRDS(on) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/d	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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SiHFB20N50K	文件：334.78 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFB20N50K	文件：3.3763 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFB20N50K_V01	文件：204.02 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalanche,anddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent ?LowRDS(on) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/d	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFB20N50K-E3	文件：204.02 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalanche,anddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent ?LowRDS(on) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/d	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFB20N50K-E3	文件：858.46 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFB20N50K-E3	文件：3.3763 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHG20N50C	文件：189.26 Kbytes Page：8 Pages	HighPeakCurrentCapability FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?HighPeakCurrentCapability ?dV/dtRuggedness ?ImprovedTrr/Qrr ?ImprovedGateCharge ?HighPowerDissipationsCapability ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHG20N50C	文件：420.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SiHG20N50C	文件：198 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHG20N50C	文件：320.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.27Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive ·DC-DCconverter ·Powerswitchandsolenoiddrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHG20N50E	文件：208.01 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Comput	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHG20N50E	文件：444.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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SK20N50A-T	文件：2.1895 Mbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SIHFB20N50K
制造商：
VISHAY
制造商全稱：
Vishay Siliconix
功能描述：
Power MOSFET

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	SIHFB20N50K	V	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SIHFB20N50K	V	22+	TO-220	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	SIHFB20N50K	V	22+	TO-220	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
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深圳市華斯頓科技有限公司	SIHFB20N50K-E3	VISHAY	22+23+	TO220	75198	絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
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深圳市科雨電子有限公司	SIHFB20N50K-E3	VISHAY	20+	TO-220	375	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
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深圳市鵬順微電子科技有限公司	SIHFB20N50K-E3	Vishay Siliconix	2022+	TO-220-3	38550	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
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