亚洲阿v天堂在线观看2019,91在线精品视频

首頁 >SIHFS9N60ATL>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
SIHFS9N60ATL	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage ??andCurrent ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFS9N60ATL-E3	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage ??andCurrent ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
9N60	文件：63.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=8.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleD	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BLV9N60	文件：374.44 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd 伊泰克電子北京伊泰克電子有限公司	ESTEK
FB9N60A	文件：135.44 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRF International Rectifier	IRF
FCD9N60N	文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCD9N60NTM	文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCD9N60NTM	文件：353.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=385mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FCP9N60N	文件：911.95 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.385廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCP9N60N	文件：336.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=385mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FCPF9N60NT	文件：651.06 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSupreMOS?MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCPF9N60NT	文件：911.95 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.385廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCPF9N60NT	文件：323.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=385mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB9N60	文件：135.44 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRF International Rectifier	IRF
IRFB9N60A	文件：303.68 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB9N60A	文件：135.44 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRF International Rectifier	IRF
IRFB9N60A	文件：329.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB9N60A	文件：331.87 Kbytes Page：21 Pages	IRPLLNR5WideRangeInputLinearFluorescentBallast	IRF International Rectifier	IRF
IRFB9N60A	文件：302.95 Kbytes Page：9 Pages	Switchmodepowersupply	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB9N60APBF	文件：160.96 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?UninterruptablePowerSupply ?Highspeedpowersw	IRF International Rectifier	IRF

12 3 >>>

詳細參數(shù)

型號：
SIHFS9N60ATL
制造商：
VISHAY
制造商全稱：
Vishay Siliconix
功能描述：
Power MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	SiHFSL11N50A	VISHAY/威世	23+	TO-263	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SIHFSL11N50A	VISHAY/威世	TO-263	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	SiHFSL11N50A	VISHAY/威世	23+	TO-263	11200	原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	SIHFSL11N50A	VISHAY/威世	22+	TO-263	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	SiHFSL11N50A	Vishay	24+	TO-263	12300	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
深圳市誠中源科技有限公司	SIHFSL9N60A-GE3	VISHAY	21+	TO-220	9866		詢價
深圳市新力誠科技有限公司	SiHFU014	Vishay	2020+	TO-251	55250	公司代理品牌,原裝現(xiàn)貨超低價清倉!	詢價
深圳市仟禧電子有限公司	SiHFU014	VISHAY/威世	22+	TO-251	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	SiHFU014	VISHAY/威世	21+	TO-251	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	SiHFU014	ir	2023+	TO-251	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價

更多SIHFS9N60ATL供應(yīng)商更新時間2024-10-25 14:30:00

詳細參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存