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SIHH11N65EF_V01

E Series Power MOSFET with Fast Body Diode

FEATURES ?Completelylead(Pb)-freedevice ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Kelvinconnectionforreducedgatenoise ?Materialcategorization:forde

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多SIHH11N65EF_V01供應(yīng)商 更新時間2024-11-7 17:05:00