首頁>SIR462DP-T1>芯片詳情

SIR462DP-T1_VBSEMI/微碧半導(dǎo)體_MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V驚羽4部

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
1000+
  • 廠家型號：

    SIR462DP-T1

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VBSEMI/微碧半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量：

    143788

  • 產(chǎn)品封裝：

    車規(guī)-場效應(yīng)管

  • 生產(chǎn)批號：

    24+25+/26+27+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-16 16:16:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：SIR462DP-T1品牌：VBSEMI-微碧

一一有問必回一特殊渠道一有長期訂貨一備貨HK倉庫

  • 芯片型號：

    SIR462DP-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    1144.71 kb

  • 資料說明：

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SIR462DP-T1

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市驚羽科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉先生

  • 手機：

    13147005145

  • 詢價：
  • 電話：

    131-4700-5145

  • 傳真：

    075583040836

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3037號南光捷佳大廈2031室

相近型號