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SIR774DP分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

SIR774DP
廠商型號

SIR774DP

參數(shù)屬性

SIR774DP 包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 30V

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
MOSFET N-CH 30V

文件大小

133.55 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-2 23:00:00

SIR774DP規(guī)格書詳情

SIR774DP屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由威世科技半導體制造生產(chǎn)的SIR774DP晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用,它們具有高頻開關特性,同時又能承載大電流,使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    SIR774DP-T1-GE3

  • 制造商:

    Vishay Siliconix

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    SkyFET?, TrenchFET?

  • 包裝:

    管件

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    32A(Ta),40A(Tc)

  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    4.5V,10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 描述:

    MOSFET N-CH 30V

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