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SIR812DP

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIR812DP-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SK812CG

SurfaceMountSchottkyBarrierRectifier

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

SML-812

HighBrightnessTypeBack-firechipLEDs(Reversepackage)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

SML812BCT

Reverse-mounttype

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

SML812BCT

Reverse-mountavailabletype

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

SML812BCT

Reverse-mountavailabletype

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

SML812BCT

Reverse-mountavailabletype

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

SML-812BCT

ReverseMountChipLEDsHighBrightnessType

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

SML-812MT

LEDs,SurfaceMount

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SIR812DP

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
更多SIR812DP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 14:01:00

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