首頁(yè)>SISA18DN-T1-GE3>芯片詳情

SISA18DN-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 38.3A 19.8W 7.5mohm @ 10V G4宏興瑞科技

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SISA18DN-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世科技

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    10000

  • 產(chǎn)品封裝：

    PAK1212-8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-15 13:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：SISA18DN-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

原裝正品現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào)：

    SISA18DN-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 資料說(shuō)明：

    MOSFET 30V 38.3A 19.8W 7.5mohm @ 10V G4

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SISA18DN-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 38.3A 19.8W 7.5mohm @ 10V G4

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏興瑞科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機(jī)：

    18923720076

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23946805

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)205棟3樓A05

相近型號(hào)