零件編號(hào) | 下載&訂購(gòu) | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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包裝:帶 封裝/外殼:4-SMD,無(wú)引線 功能:?jiǎn)⒂?禁用 類別:晶體,振蕩器,諧振器 振蕩器 描述:MEMS OSC XO 12.0000MHZ LVCMOS LV | SITIMESiTime Corp. 賽特時(shí)脈美商賽特時(shí)脈股份有限公司 | SITIME | ||
包裝:帶 封裝/外殼:4-SMD,無(wú)引線 功能:?jiǎn)⒂?禁用 類別:晶體,振蕩器,諧振器 振蕩器 描述:MEMS OSC XO 12.2880MHZ LVCMOS LV | SITIMESiTime Corp. 賽特時(shí)脈美商賽特時(shí)脈股份有限公司 | SITIME | ||
包裝:帶 封裝/外殼:4-SMD,無(wú)引線 功能:?jiǎn)⒂?禁用 類別:晶體,振蕩器,諧振器 振蕩器 描述:MEMS OSC XO 12.8000MHZ LVCMOS LV | SITIMESiTime Corp. 賽特時(shí)脈美商賽特時(shí)脈股份有限公司 | SITIME | ||
DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SurfaceMountPackage. ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●ESDProtected. | SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司 | Samhop | ||
ATMInterconnect Description TheCelXpresT8208deviceintegratesalloftherequiredfunctionalitytotransportATMcellsacrossabackplanearchitecturewithhigh-speedcelltrafficexceeding1.5Gbits/stoamaximumof32destinations.Themanagementofmultipleservicecategoriesandmonitoringofperformance | agere Agere Systems | agere | ||
5.8WDUALAUDIOPOWERAMPLIFIER | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
HighEfficiency1MHz,2AStepUpRegulator | TECHCODETECHCODE SEMICONDUCTOR, INC. 泰德美國(guó)泰德半導(dǎo)體有限公司 | TECHCODE | ||
LithiumIonBatteryApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII) LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Smallfootprintduetosmallandthinpackage ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=6.3S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(ma | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
LithiumIonBatteryApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII) LithiumIonBatteryApplications ?Smallfootprintduetosmallandthinpackage ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=13m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=15S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) ?Enhancementmode:Vth=0.5~1.2V(VDS= | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
Li-Ion/Polymer2/3/4-CellSecondProtectionICVoltageRegulator | UPI uPI Semiconductor Corp | UPI |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
SIT8208AI-21-18E-12.288000
- 制造商:
SiTime
- 類別:
晶體,振蕩器,諧振器 > 振蕩器
- 系列:
SiT8208
- 包裝:
帶
- 基本諧振器:
MEMS
- 類型:
XO(標(biāo)準(zhǔn))
- 功能:
啟用/禁用
- 輸出:
LVCMOS,LVTTL
- 電壓 - 供電:
1.8V
- 頻率穩(wěn)定性:
±20ppm
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C
- 電流 - 供電(最大值):
31mA
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
4-SMD,無(wú)引線
- 大小 / 尺寸:
0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
- 高度 - 安裝(最大值):
0.031"(0.80mm)
- 描述:
MEMS OSC XO 12.2880MHZ LVCMOS LV
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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22+ |
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18000 |
只做全新原裝,支持BOM配單,假一罰十 |
詢價(jià) |
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