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SM2406NSAN	文件：532.41 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成電路大中集成電路股份有限公司	SINOPWER
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TW2406	文件：325.14 Kbytes Page：2 Pages	TW2406/TW2408EmbeddedGPS/GLONASSAntenna	TALLYSMAN Tallysman Wireless Inc.	TALLYSMAN
UPC2406AHF	文件：320.4 Kbytes Page：16 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ?Built-inthesaturationprotectioncircuitoftheoutputtransistor. ?Thecapabilityofoutputcurrentis1A ?Highaccuracyofoutputvoltage. \|DVO\|￡±2(TJ=25°C) \|DVO\|￡±3(0°C￡TJ￡125°C) ?Lowdropoutvoltage. VDIF￡1V(IO￡1A,TJ￡125°C) ?Built-in	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPC2406AHF	文件：103.95 Kbytes Page：14 Pages	THREETERMINALLOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
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UPG2406TK	文件：245.15 Kbytes Page：15 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ?Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=1.8to5.3V(2.7VTYP.) :Vcont(L)=?0.2to+0.2V(0VTYP.) ?Lowinsertionloss:Lins=0.40dBTYP.@f=1.0GHz,Vcont(H)=2.7V,Vcont(L)=0V :Lins=0.47dBTYP.@f=2.5GHz,Vcont(H)=2.7V,Vcont(L)=0V ?Highisolati	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPG2406TK	文件：123.02 Kbytes Page：13 Pages	0.01to3.0GHzSPDTSWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
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