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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
SM5852DS	文件：106.16 Kbytes Page：14 Pages	Digital Audio Processor LSI OVERVIEW TheSM5852DSisadigitalsignalprocessorICthatperformsXBS(extrabasssystem),LIVE(pseudo-soundfield)andASC(trainposition)processingforuseindigitalaudioreproductionequipment.Itisdesignedforusewitha44.1kHzsamplingfrequency. FEATURES ■2-channelprocessing	NPC Nippon Precision Circuits Inc	NPC
5852	文件：3.18812 Mbytes Page：60 Pages	IntroductiontoKnowlesPrecisionDevices Applications RFamplifier LCFiltersandNetworks BroadbandWirelessLAN MedicalDevices CordlessandCellularphones DR/CrystalOscillator Microstriplinefilters	KNOWLES Knowles	KNOWLES
5852	文件：98.68 Kbytes Page：4 Pages	CustomerSpecification Construction 1)Component11X1HOOKUP a)Conductor28(7/36)AWGSilverPlatedCopper0.015 b)Insulation0.010Wall,Nom.PTFE0.035+/-0.004 (1)Color(s) WHITE,BLACK,RED,GREEN,YELLOW,BLUE,BROWN ORANGE,GRAY,VIOLET,WHITE/BLACK,WHITE/BLUE WHITE/ORANGE,WHITE/VIOLET	ALPHAWIREAlpha Wire 阿爾法電線	ALPHAWIRE
5852	文件：69.76 Kbytes Page：3 Pages	CustomerSpecification	ALPHAWIREAlpha Wire 阿爾法電線	ALPHAWIRE
CPH5852	文件：56.23 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiode MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features ?CompositetypecontainingaP-ChannelMOSFET(MCH3312)andaSchottkyBarrierDiode(SB1003M3),facilitatinghigh-densitymounting. ?[MOS] ?LowON-resistance ?Ultrahigh-speedswitching ?4Vdrive ?[SBD]	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
IRF5852	文件：239.7 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V) Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRF International Rectifier	IRF
IRF5852	文件：130.009 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRF International Rectifier	IRF
IRF5852	文件：132.21 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRF International Rectifier	IRF
IRF5852PBF	文件：206.02 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRF International Rectifier	IRF
IRF5852TR	文件：132.21 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRF International Rectifier	IRF
IRF5852TRPBF	文件：130.009 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRF International Rectifier	IRF
ISO5852S	文件：1.6761 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
ISO5852S	文件：1.4767 Mbytes Page：37 Pages	High-CMTI2.5-A/5-AIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverwithSplitOutputsandActiveSafetyFeatures	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
ISO5852S	文件：1.67464 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
ISO5852SDW	文件：1.4767 Mbytes Page：37 Pages	High-CMTI2.5-A/5-AIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverwithSplitOutputsandActiveSafetyFeatures	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
ISO5852SDWR	文件：1.4767 Mbytes Page：37 Pages	High-CMTI2.5-A/5-AIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverwithSplitOutputsandActiveSafetyFeatures	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
ISO5852S-EP	文件：1.67464 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
ISO5852S-EP	文件：1.6761 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
ISO5852SMDWREP	文件：1.67464 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	SM5852DS		24+	93	985	真實(shí)現(xiàn)貨庫(kù)存	詢價(jià)
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更多SM5852DS供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 16:00:00

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