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SMMBTH10-4LT3G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

SMMBTH10-4LT3G
廠商型號

SMMBTH10-4LT3G
參數(shù)屬性

SMMBTH10-4LT3G 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
功能描述

VHF/UHF Transistor
RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

97.09 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-3 11:08:00

SMMBTH10-4LT3G規(guī)格書詳情

SMMBTH10-4LT3G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的SMMBTH10-4LT3G晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

VHF/UHF Transistor

NPN Silicon

Features

? S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications

Requiring Unique Site and Control Change Requirements;

AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    SMMBTH10-4LT3G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    25V

  • 頻率 - 躍遷：

    800MHz

  • 功率 - 最大值：

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 4mA，10V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
三年內(nèi)
1983
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