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SPB02N60S5_07中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SPB02N60S5_07
廠商型號(hào)

SPB02N60S5_07

功能描述

Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

文件大小

349.26 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-10 11:19:00

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SPB02N60S5_07規(guī)格書詳情

Feature

? New revolutionary high voltage technology

? Ultra low gate charge

? Periodic avalanche rated

? Extreme dv/dt rated

? Ultra low effective capacitances

? Improved transconductance

? Qualified according to JEDEC0) for target applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SPB02N60S5_07

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Cool MOS? Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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