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SPB80N06S2L-07中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
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廠商型號(hào) |
SPB80N06S2L-07 |
功能描述 | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
文件大小 |
1.05692 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | VBsemi Electronics Co.,Ltd |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-25 14:06:00 |
人工找貨 | SPB80N06S2L-07價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
SPB80N06S2L-07
- 功能描述:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
OptiMOS™
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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07+ |
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