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SPB80N06S2L-07

OptiMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB80N06S2L-07

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

IPB80N06S2L-07

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP80N06S2L-07

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

IPP80N06S2L-07

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP80N06S2L-07

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SPP80N06S2L-07

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SPB80N06S2L-07

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
23+
TO263
6996
只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON/英飛凌
24+
TO263-3
2000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
INFINEON
24+
P-TO263-3
8866
詢價
INFINEON
24+
原廠封裝
9000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
進口原裝
23+
SMD
27118
全新原裝現(xiàn)貨,專業(yè)代理熱賣
 詢價
INFINEON
1816+
.
6523
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
 詢價
INFINEON
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
INFINE0N
23+
TO-263
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
INFINEON
20+
P-TO263-3
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
Infineon Technologies
21+
PG-TO263-3-2
1000
100%進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!
 詢價
更多SPB80N06S2L-07供應商 更新時間2025-1-22 14:24:00

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