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SPD07N60S5

Cool MOS??Power Transistor

CoolMOS?PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inTO-251andTO-252 ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance ?Pb-freeleadplating;RoHS

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD07N60S5

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPDU07N60S5

CoolMOS??PowerTransistor

CoolMOS?PowerTransistor ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Optimizedcapacitances ?Improvednoiseimmunity

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI07N60S5

CoolMOS??PowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI07N60S5

CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI07N60S5

CoolMOS??PowerTransistor

CoolMOS?PowerTransistor ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Optimizedcapacitances ?Improvednoiseimmunity

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI07N60S5

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPP07N60S5

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPP07N60S5

CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology

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CoolMOS??PowerTransistor

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SPD07N60S5

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 600 V 7.3 A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
9298
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開票。
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
5000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
25900
新到現(xiàn)貨,只有原裝
 詢價(jià)
INFINEON
2016+
SOT-252
3500
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO-252
7936
詢價(jià)
INFINEON
05+
原廠原裝
10482
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
英飛凌
24+
TO-252
573
原裝現(xiàn)貨熱賣
 詢價(jià)
INFINEON
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
INFINEON
22+
P-TO252-3-1
23278
原裝現(xiàn)貨庫(kù)存.價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
更多SPD07N60S5供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-20 23:00:00

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