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零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
SPP7413	文件：301.12 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER
7413	文件：123.19 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Id=12A) SMPSMOSFET Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
7413SYZBE	文件：1.03503 Mbytes Page：14 Pages	7000SeriesMiniatureToggleSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
7413WS	文件：154.43 Kbytes Page：2 Pages	MachFlex?,61GC#18StrBC,PVC-NYLIns,OATCBrd,TPEJkt,1000VWTTC,600VTC-ER ProductDescription MachFlex?forHighFlex,6+1GConductor18AWG(16x30)BareCopper,PVC-NYLInsulation,OverallTinnedCopperBraid(85)Shield,TPEOuterJacket, 1000VWTTC,600VTC-ER	BELDENBelden Inc. 百通電纜設(shè)計(jì)科技有限公司	BELDEN
AM7413P	文件：409.49 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AO7413	文件：219.28 Kbytes Page：5 Pages	20VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO7413	文件：114.19 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO7413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V,inthesmallSOT323footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlow	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO7413L	文件：114.19 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO7413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V,inthesmallSOT323footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlow	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
HD7413	文件：143.51 Kbytes Page：4 Pages	TTLHD74/HD74SSeries	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
IRF7413	文件：422.14 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Application Features VDS(V)=30V RDS(ON)12m(VGS=10V) RDS(ON)17m(VGS=4.5V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRF7413	文件：394.37 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET Application GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRF7413	文件：1.84902 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=12A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
IRF7413	文件：123.19 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Id=12A) SMPSMOSFET Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413A	文件：116.16 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.0135ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413GPBF	文件：264.75 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413GTRPBF	文件：264.75 Kbytes Page：9 Pages	GenerationVTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413PBF	文件：263.63 Kbytes Page：9 Pages	ULTARLOWONRESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413PBF	文件：211.18 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413QPBF	文件：257.48 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheseHEXFET?PowerMOSFETsinSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveaval	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413TR	文件：394.37 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET Application GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI

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更多SPP7413供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 14:04:00

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