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SPU30N03S2L-10

OptiMOS Power-Transistor

Feature ?N-Channel ?LogicLevel ?Lowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Idealforfastswitchingapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPU30N03S2L-10

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

IPD30N03S2L

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISPD30N03S2L

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Superiorthermalresistance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤10m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPD30N03S2L

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Superiorthermalresistance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤10m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SPU30N03S2L

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 30A TO-251

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多SPU30N03S2L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-12 13:59:00

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