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首頁>SQD25N06-35L-GE3>芯片詳情
SQD25N06-35L-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 60V 25A 50W 35mohm @ 10V驚羽4部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SQD25N06-35L-GE3
- 功能描述:
MOSFET 60V 25A 50W 35mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市驚羽科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
劉先生
- 手機:
13147005145
- 詢價:
- 電話:
131-4700-5145
- 傳真:
075583040836
- 地址:
深圳市福田區(qū)深南中路3037號南光捷佳大廈2031室
相近型號
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- SQD19P06-60L-GE3
- SQD30N05-20L_GE3
- SQD30N05-20L_T4GE3
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