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AGR19030EF

30W,1930MHz-1990MHz,PCSLDMOSRFPowerTransistor

Introduction TheAGR19030EFisa30W,28VN-channellaterallydiffusedmetaloxidesemiconductor(LDMOS)RFpowerfieldeffecttransistor(FET)suitableforpersonalcommunicationservice(PCS)(1930MHz—1990MHz),globalsystemformobilecommunication(GSM/EDGE),timedivisionmultipleaccess

TriQuint

TriQuint Semiconductor

MRF19030

RFPOWERFIELDEFFECTTRANSISTORS

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforclassABPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.8to2.0GHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. ?CDMAPerformance@1990MHz,

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF19030

RFPowerFieldEffectTransistors

RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforclassABPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1800to2000MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. ?CDMAPerformance@1990MHz,26Volts IS-95

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

PFM19030

1930-1990MHz,30W,2-StagePowerModuleEnhancement-ModeLateralMOSFETs

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

PFM19030F

1930-1990MHz,30W,2-StagePowerModuleEnhancement-ModeLateralMOSFETs

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

PFM19030SM

1930-1990MHz,30W,2-StagePowerModuleEnhancement-ModeLateralMOSFETs

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

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更多SRF19030T供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 14:02:00

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