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ET110N10-Z

StandardSizeToggleSwitch

COPALCopal Electronics

尼得科科智博電子尼得科科智博電子(上海)有限公司

FIR110N10PG

N-ChannelEnhancementModePowerMosfet

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

IXFC110N10P

PolarHVHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS220

IXYS

IXYS Corporation

IXFC110N10P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=17mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFH110N10P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=15mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFH110N10P

PolarHTHiPerFETPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFV110N10P

PolarHTHiPerFETPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFV110N10PS

PolarHTHiPerFETPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTQ110N10P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=15mΩ(Max) ?FastSwitching ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switch-ModeandResonant-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTQ110N10P

N-ChannelEnhancementMode

PolarHT?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity

IXYS

IXYS Corporation

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
JXND/嘉興南電
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更多SRT110N10HP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-25 16:10:00

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