国语自产精品视频在线视频,99久久综合狠狠综合久久男同,99免费精品国产

首頁 >SSD02N65SL>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
SSD02N65SL	文件：544.8 Kbytes Page：5 Pages	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSD02N65SL	文件：1.41837 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
SSD02N65SL	文件：1.08848 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SSD02N65SL_15	文件：544.8 Kbytes Page：5 Pages	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
CEB02N65A	文件：539.32 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB02N65D	文件：350.41 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB02N65G	文件：599.68 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED02N65A	文件：646.5 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,1.2A,RDS(ON)=10.5W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEEF02N65G	文件：557.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,2.0A,RDS(ON)=5.0W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-126Fpackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF02N65A	文件：539.32 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF02N65D	文件：350.41 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF02N65G	文件：599.68 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEK02N65A	文件：502.26 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,0.35A,RDS(ON)=10.5W@VGS=10V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP02N65A	文件：539.32 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP02N65A	文件：397.41 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP02N65D	文件：350.41 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP02N65G	文件：398.62 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP02N65G	文件：599.68 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU02N65A	文件：646.5 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,1.2A,RDS(ON)=10.5W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU02N65A	文件：421.64 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,1.2A,RDS(ON)=10.5Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET

12 >>>

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市國宇半導體科技有限公司	SSD02N65SL	S	23+	TO-252	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SSD02N65SL	SECOS	2022+	TO-252	50000	原廠代理終端免費提供樣品	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	SSD02N65SL	SECOS	2022+	TO-252	30000	進口原裝現(xiàn)貨供應,原裝假一罰十	詢價
深圳市恒諾芯科技有限公司	SSD02N65SL		2322+	NA	33220	無敵價格主銷品牌正規(guī)渠道訂貨免費送樣!!!	詢價
深圳兆威電子有限公司	SSD03	Matsuki	23+	SOD123	45000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市芯祺盛科技有限公司	SSD03	SENCHIP	07+	SOD123	9000	向鴻原裝正品/代理渠道/現(xiàn)貨優(yōu)勢	詢價
深圳市寶隆宏業(yè)科技有限公司	SSD03	SENCHIP	22+	SOD123	8650	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳廊盛科技有限公司	SSD03	SENCHIP	22+	SOD123	50000	只做正品原裝,假一罰十,歡迎咨詢	詢價
深圳市維基鴻電子有限公司	SSD03	SENCHIP	24+	SOD123	10000	全新原裝現(xiàn)貨庫存	詢價
深圳市科翼源電子有限公司	SSD03	SENCHIP	23+	SOD123	11500	原廠原裝正品	詢價

更多SSD02N65SL供應商更新時間2024-12-26 14:30:00

相關規(guī)格書

相關庫存