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SSM3K329R

Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

○PowerManagementSwitchApplications ○High-SpeedSwitchingApplications ?1.8-Vdrive ?LowON-resistance:RDS(ON)=289m?(max)(@VGS=1.8V) :RDS(ON)=170m?(max)(@VGS=2.5V) :RDS(ON)=126m?(max)(@VGS=4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3K329R

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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東芝株式會社東芝

SSM3K329R

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?PowerManagementSwitches ?High-SpeedSwitching Features (1)1.8-Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=289mΩ(max)(@VGS=1.8V) RDS(ON)=170mΩ(max)(@VGS=2.5V) RDS(ON)=126mΩ(max)(@VGS=4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3K329R

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

SSM3K329R_V01

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?PowerManagementSwitches ?High-SpeedSwitching Features (1)1.8-Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=289mΩ(max)(@VGS=1.8V) RDS(ON)=170mΩ(max)(@VGS=2.5V) RDS(ON)=126mΩ(max)(@VGS=4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3K329R_14

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號:

    SSM3K329R

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA/東芝
24+
SOT-23F
45000
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SOT-23
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TOSHIBA/東芝
24+
SOT-23F
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免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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SOT23
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更多SSM3K329R供應(yīng)商 更新時間2024-11-16 17:45:00