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SSM6N7002FU | High Speed Switching Applications Analog Switch Applications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | |
SSM6N7002FU | High Speed Switching Applications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | |
SSM6N7002FU | Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | |
High Speed Switching Applications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
High Speed Switching Applications Analog Switch Applications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
MOSFET60VDUALN-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION V DS60V V GS20V ID(A)= 0.29A R DS(ON)ON)=1.5Ω(@VGS=10V R DS(ON)ON)=2.0Ω(@VGS=4.5V The AM6N7002KisavailableinSC706package FEATURES ?HighSpeedSwitching ?ESDProtection>2kVHBM ?AvailableinSC706package APPLICATIONS ?Portable | AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技 | AITSEMI | ||
DualN-Channel60V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
High-SpeedSwitchingApplicationsAnalogSwitchApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
DualN-Channel60V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
High-SpeedSwitchingApplicationsAnalogSwitchApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
High-SpeedSwitching | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
MOSFETsSiliconN-ChannelMOS 1.Applications ?High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
High-SpeedSwitching | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
MOSFETsSiliconN-ChannelMOS 1.Applications ?High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
MOSFETsSiliconN-ChannelMOS 1.Applications ?High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
MOSFETsSiliconN-ChannelMOS 1.Applications ?High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA |
詳細參數(shù)
- 型號:
SSM6N7002FU
- 制造商:
Toshiba America Electronic Components
- 功能描述:
MOSFET DUAL N-CH 60V .2A US6
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/東芝 |
24+ |
US6 |
45000 |
熱賣優(yōu)勢現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
16+ |
US6 |
11800 |
進口原裝現(xiàn)貨/價格優(yōu)勢! |
詢價 | ||
TOSHIBA |
16+ |
US6 |
42590 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
2019+ |
SC70-6 |
36000 |
原盒原包裝 可BOM配套 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
22+ |
SOT363 |
600000 |
航宇科工半導(dǎo)體-央企優(yōu)秀戰(zhàn)略合作伙伴! |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
2019+PB |
US6 |
42590 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
24+ |
SOT-363 |
503207 |
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-363SOT-323-6 |
189950 |
新進庫存/原裝 |
詢價 | ||
PIXART |
23+ |
XX |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
23+ |
原廠封裝 |
9526 |
詢價 |
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