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SSM6N7002KFULF

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

1.Applications ?High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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AM6N7002

MOSFET60VDUALN-CHANNELENHANCEMENTMODE

DESCRIPTION V DS60V V GS20V ID(A)= 0.29A R DS(ON)ON)=1.5Ω(@VGS=10V R DS(ON)ON)=2.0Ω(@VGS=4.5V The AM6N7002KisavailableinSC706package FEATURES ?HighSpeedSwitching ?ESDProtection>2kVHBM ?AvailableinSC706package APPLICATIONS ?Portable

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

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SSM6N7002AFU

DualN-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

SSM6N7002BFE

High-SpeedSwitchingApplicationsAnalogSwitchApplications

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High-SpeedSwitching

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HighSpeedSwitchingApplications

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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

1.Applications ?High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V)

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High-SpeedSwitching

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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

1.Applications ?High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V)

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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

1.Applications ?High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V)

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