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SSM6P35AFU

Marking：E4；Package：US6；Analog Switches

Features (1)1.2Vdrive (2)ESD(HBM)level2kV (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=3.2?(typ.)(@VGS=-1.2V) RDS(ON)=2.3?(typ.)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=2.0?(typ.)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=1.5?(typ.)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=1.1?(typ.)(@

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6P35AFU

Marking：E4；Package：US6；MOSFETs Silicon P-Channel MOS

1.Applications ?AnalogSwitches 2.Features (1)1.2Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=3.2Ω(typ.)(@VGS=-1.2V) RDS(ON)=2.3Ω(typ.)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=2.0Ω(typ.)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=1.5Ω(typ.)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=1.1Ω(typ.)(@VGS=-

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6P35AFU_V01

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

1.Applications ?AnalogSwitches 2.Features (1)1.2Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=3.2Ω(typ.)(@VGS=-1.2V) RDS(ON)=2.3Ω(typ.)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=2.0Ω(typ.)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=1.5Ω(typ.)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=1.1Ω(typ.)(@VGS=-

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6P35AFE

MOSFETsSiliconP-ChannelMOS

1.Applications ?AnalogSwitches 2.Features (1)1.2Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=3.2Ω(typ.)(@VGS=-1.2V) RDS(ON)=2.3Ω(typ.)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=2.0Ω(typ.)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=1.5Ω(typ.)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=1.1Ω(typ.)(@VGS=-

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6P35AFE

AnalogSwitches

Features (1)1.2Vdrive (2)ESD(HBM)level2kV (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=3.2?(typ.)(@VGS=-1.2V) RDS(ON)=2.3?(typ.)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=2.0?(typ.)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=1.5?(typ.)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=1.1?(typ.)(@

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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SSM6P35FE

High-SpeedSwitchingApplicationsAnalogSwitchApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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SSM6P35FU

High-SpeedSwitchingApplications

○High-SpeedSwitchingApplications ○AnalogSwitchApplications ?1.2-Vdrive ?LowON-resistance:Ron=44Ω(max)(@VGS=-1.2V) :Ron=22Ω(max)(@VGS=-1.5V) :Ron=11Ω(max)(@VGS=-2.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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更多SSM6P35AFU供應商 更新時間2025-1-29 17:08:00

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