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V30120C

DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V30120C

DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

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V30120S

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V30120S

HighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,

VishayVishay Siliconix

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V30120SG

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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