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2SB1424	文件：109.45 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:600mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SB1424	文件：203.17 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ?LowVCE(SAT)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.1mA). ?ExcellentDCcurrentgaincharacterisitics. ?Complementarythe2SD2150.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
2SB1424	文件：781.09 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentDCcurrentgaincharacteristics. Applications Generalpurposeamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SB1424	文件：72.21 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)Transistor(??0V,??A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=?0.2V(Typ.) (IC/IB=?2A/?0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2150/2SC4115S. Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1424	文件：132.74 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(SAT)0.2V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.1mA). FEATURES ?LowVCE(SAT)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.1mA). ?ExcellentDCcurrentgaincharacterisitics. ?Complementarythe2SD2150.	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半導(dǎo)體美科半導(dǎo)體股份（香港）有限公司	MAKOSEMI
2SB1424	文件：187.19 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)Transistor FEATURES ●LowVCE(SAT)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.1mA). ●ExcellentDCcurrentgaincharacterisitics. ●Complementarythe2SD2150. APPLICATIONS ●Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifier andswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀(jì)微電子常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
2SB1424	文件：1.61084 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ExcellentDCcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementthe2SD2150	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SB1424	文件：1.01929 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulatePNPTransistors FEATURES ●ExcellentDCcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementthe2SD2150	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
2SB1424	文件：150.48 Kbytes Page：2 Pages	LOWVCE(SAT)TRANSISTOR LOWVCE(SAT)TRANSISTOR DESCRIPTION AstheUTCPNPsilicontransistor,the2SB1424istheepitaxialplanartypetransistorwhichhasverylowVCE(SAT)(Collector-emittersaturationvoltage). FEATURES VerygoodDCcurrentgain VerylowVCE(SAT)=-0.2V@IC/IB=(-2A)/(-0.1A)	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SB1424	文件：260.769 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ExcellentDCCurrentGain ●LowCollector-emittersaturationvoltage ●Complementthe2SD2150	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
2SB1424	文件：183.08 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconMediumPowerTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:600mWTemp.=25°C Collectorcurrent ICM:-3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJTstg:-55°Cto+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1424	文件：52.38 Kbytes Page：1 Pages	LowVCE(sat)Transistor ■Features ●ExcellentDCcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementaryto2SD2150	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SB1424	文件：61.39 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:600mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SB1424	文件：91.27 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)Transistor(−20V,−3A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1424	文件：254.94 Kbytes Page：4 Pages	EpitaxialPlanarPNPTransistors EpitaxialPlanarPNPTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SB1424	文件：101.55 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)Transistor(-20V,-3A) Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2150/2SC4115S.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1424	文件：629.64 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors ■Features ●ExcellentDCcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementaryto2SD2150	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
2SB1424	文件：493.57 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)Transistor(-20V,-3A) FEATURES LowVCE(SAT)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.1mA). ExcellentDCcurrentgaincharacterisitics. Complementarythe2SD2150. APPLICATIONS Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifier andswitching.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SB1424-Q	文件：1.1975 Mbytes Page：2 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SB1424-Q	文件：629.64 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors ■Features ●ExcellentDCcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementaryto2SD2150	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	ST2SB1424QU	ST	08+	SOT89	1000		詢價
深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司	ST2SB1424QU	ST	22+	SOT89	28600	只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十一級代理	詢價
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深圳市維爾達(dá)電子有限公司	ST2SB1424QU	ST	SOT89		6000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
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中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	ST2SB1424QU	ST		SOT89	699839	集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)	詢價
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更多ST2SB1424QU供應(yīng)商更新時間2024-11-18 15:42:00

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