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2SD1664

NPNSiliconGeneralPurposeTransistor

Features Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25oC) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55C~+150COO

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SD1664

MediumPowerTransistor

Features LowVCE(sat) Complimentsto2SB1132

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SD1664

MediumPowerTransistor(32V,1A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

2SD1664

MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR

MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1664isanepitaxialplanartypeNPNsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT):VCE(SAT)=0.15V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) *Complementthe2SB1132.

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SD1664

MediumPowerTransistor(32V,1A)

MediumPowerTransistor(32V,1A) Features 1)LowVCE(sat)=0.15V(Typ.) (lC/lB=500mA/50mA) 2)Compliments2SB1132/2SB1237

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

2SD1664

Plastic-EncapsulateTransistors

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

2SD1664

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

2SD1664

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES LowVCE(sat),VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA) Complementsto2SB1132

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1664

MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SD1664

NPNEpitaxialPlanarTransistors

Features: *LowVCE(sat),VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA)

WEITRON

Weitron Technology

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更多ST2SD1664QU供應(yīng)商 更新時間2025-1-27 16:50:00

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