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ST36N10D

N Channel Enhancement Mode MOSFET

STANSON

Stanson Technology

EMB36N10A

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)36mΩ ID30A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMD36N10A

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)36mΩ ID30A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

MTW36N10E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=58mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NP36N10SDE

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=33mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NP36N10SDE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP36N10SDEisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mΩMAX.(VGS=10V,ID=18A) RDS(on)2=39mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=18A) ?LowCiss:Ciss=3500pFTYP.(VDS=2

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP36N10SDE

ProductScoutAutomotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UTT36N10

36A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
STANSON
24+
TO-252
503916
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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司坦森
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2500個/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,
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TO252
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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STANSONTECH
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TO-252
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原廠代理 終端免費提供樣品
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TO252
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STANSONTECH
2022+
TO-252
30000
進口原裝現(xiàn)貨供應,原裝 假一罰十
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STANSONTECH
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TO-252
32500
現(xiàn)貨很近!原廠很遠!只做原裝
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更多ST36N10D供應商 更新時間2025-4-26 17:06:00