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STAC4932B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

STAC4932B
廠商型號(hào)

STAC4932B

參數(shù)屬性

STAC4932B 封裝/外殼為STAC244B;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:TRANSISTOR RF MOSF N-CH STAC244B

功能描述

HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET
TRANSISTOR RF MOSF N-CH STAC244B

絲印標(biāo)識(shí)

STAC4932

封裝外殼

STAC780-4B / STAC244B

文件大小

299.9 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-13 19:25:00

STAC4932B規(guī)格書詳情

STAC4932B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STAC4932B晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Features

? Excellent thermal stability

? Common source push-pull configuration

? POUT = 1000 W min. (1200 W typ.) with 24.6 dB gain at 123 MHz

? Pulse conditions: 1ms, 10

? In compliance with the 2002/95/EC European directive

? ST air-cavity STAC package technology

Description

The STAC4932B is an N-channel MOS field-effect RF power transistor. It is intended

for 100 V pulse applications up to 250 MHz. This device is suitable for use in

industrial, scientific and medical applications. The STAC4932B benefits from the

latest generation of efficient, patent-pending STAC package technology.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STAC4932B

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    N 通道

  • 頻率:

    123MHz

  • 增益:

    26dB

  • 功率 - 輸出:

    1000W

  • 封裝/外殼:

    STAC244B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    STAC244B

  • 描述:

    TRANSISTOR RF MOSF N-CH STAC244B

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
STMicroelectronics
24+
STAC244B
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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