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STB12NM50ND規(guī)格書詳情
Description
FDmesh? technology combines the MDmesh? features with an intrinsic fast-recovery body diode. The resulting product has reduced on resistance and fast switching commutations, making it especially suitable for bridge topologies where low trr is required.
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
■ Switching applications
產品屬性
- 型號:
STB12NM50ND
- 功能描述:
MOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
6500 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-263-3 |
10060 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO263 |
58000 |
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ST |
21+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
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詢價 | ||
ST |
1816+ |
TO-263 |
6523 |
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ST/意法 |
2324+ |
TO-263-2 |
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ST專家 |
NA |
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ST |
21+ |
TO-263 |
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詢價 | ||
ST專家 |
22+23+ |
D2PAK |
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ST/意法 |
23+ |
D2PAK |
8215 |
原廠原裝 |
詢價 |