首頁>STB20N65M5>規(guī)格書詳情
STB20N65M5中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
STB20N65M5 |
| 功能描述 | N-channel 650 V, 0.160 廓 typ., 18 A MDmesh??V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages |
| 文件大小 |
1.17545 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
21 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-12 14:48:00 |
STB20N65M5規(guī)格書詳情
Features
■ Worldwide best RDS(on) * area
■ Higher VDSS rating and high dv/dt capability
■ Excellent switching performance
■ 100 avalanche tested
Applications
■ Switching applications
Description
These devices are N-channel MDmesh? V
Power MOSFETs based on an innovative
proprietary vertical process technology, which is
combined with STMicroelectronics’ well-known
PowerMESH? horizontal layout structure. The
resulting product has extremely low onresistance, which is unmatched among siliconbased Power MOSFETs, making it especially
suitable for applications which require superior
power density and outstanding efficiency
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STB20N65M5
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 650V 18A Mdmesh V 0.19Ohm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | |||
ST |
24+ |
D2PAK |
18000 |
原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO263 |
6996 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-263-3 |
14100 |
原裝正品 |
詢價 | ||
ST/意法 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
STM |
21+ |
6000 |
TO-263-3 (D2PAK) |
詢價 | |||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-263-3 |
28680 |
公司只做原裝,誠信經(jīng)營 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
2021++ |
LQFP |
5850 |
原裝正品 現(xiàn)貨庫存價格優(yōu)勢! |
詢價 | ||
STM |
21+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
2000 |
15年光格 只做原裝正品 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2023+ |
TO-263-3 |
6000 |
原裝正品現(xiàn)貨、支持第三方檢驗、終端BOM表可配單提供 |
詢價 |
