首頁>STB25NM60N>芯片詳情

STB25NM60N_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_MOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh坤融電子

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    STB25NM60N

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ST

  • 庫存數(shù)量：

    8950

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫存類型：

    熱賣庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-8 16:36:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：STB25NM60N品牌：ST

BOM配單專家,發(fā)貨快,價(jià)格低

  • 芯片型號(hào)：

    STB25NM60N

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    18 頁

  • 文件大?。?/span>

    523.69 kb

  • 資料說明：

    N-channel 600V - 0.140廓 - 20A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    STB25NM60N

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市坤融電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    黃先生

  • 手機(jī)：

    13510287235

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23990975

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1006號(hào)航都大廈10層I

相近型號(hào)