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STB80N4F6AG

High avalanche ruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STD80N4F6

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

STD80N4F6

N-channel40V,5.5mtyp.,80ASTripFETVIDeepGATEPowerMOSFETinDPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STU80N4F6

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STU80N4F6

N-channel40V,5.5mtyp.,80ASTripFETVIDeepGATEPowerMOSFETinDPAK

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

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更多STB80N4F6AG供應(yīng)商 更新時間2024-12-24 10:12:00

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