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STM6601	文件：1.29534 Mbytes Page：51 Pages	Smartpush-buttonon/offcontrollerwithSmartResetTMandpower-onlockout Description TheSTM6600-01devicesmonitorthestateofconnectedpush-button(s)aswellassufficientsupplyvoltage.AnenableoutputcontrolspowerfortheapplicationthroughtheMOSFETtransistor,DC-DCconverter,regulator,etc.Ifthesupplyvoltageisaboveaprecisevoltagethreshold,th	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
STS6601	文件：168.23 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-26package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS6601	文件：454.65 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available ?TrenchFET?PowerMOSFET APPLICATIONS ?LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
STT6601	文件：489.77 Kbytes Page：6 Pages	N&P-ChannelEnhancementModeMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
STT6601	文件：613.87 Kbytes Page：10 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
THN6601B	文件：280.86 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
TPC6601	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TPC6601	文件：158.39 Kbytes Page：5 Pages	TransistorSiliconPNPEpitaxialType	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
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UM6601	文件：221.09 Kbytes Page：4 Pages	PINDIODE DESCRIPTION TheseseriesofPINdiodesaredesignedforapplicationsrequiringsmallpackagesizeandmoderateaveragepowerhandlingcapability.ThelowcapacitanceoftheUM6000andUM6600allowsthemtobeusedasseriesswitchingelementsto1GHz.ThelowresistanceoftheUM6200isuseful	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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