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STD10P10F6_V01中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STD10P10F6_V01
廠商型號(hào)

STD10P10F6_V01

功能描述

P-channel -100 V, 0.36 Ω typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

文件大小

403.87 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-27 22:30:00

STD10P10F6_V01規(guī)格書詳情

Features

? Very low on-resistance

? Very low gate charge

? High avalanche ruggedness

? Low gate drive power loss

Applications

? Switching applications

Description

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6

technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits

very low RDS(on) in all packages.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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