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STD30NF06LAG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

STD30NF06LAG
廠商型號

STD30NF06LAG

參數(shù)屬性

STD30NF06LAG 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

功能描述

Automotive-grade N-channel 60 V, 0.022 Ω typ., 35 A STripFET? II Power MOSFET in a DPAK package
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

721.03 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-9 13:02:00

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STD30NF06LAG規(guī)格書詳情

STD30NF06LAG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STD30NF06LAG晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? AEC-Q101 qualified

? Low threshold drive

? Gate charge minimized

Description

This Power MOSFET series realized with

STMicroelectronics unique STripFET? process

is specifically designed to minimize input

capacitance and gate charge. It is therefore ideal

as a primary switch in advanced high-efficiency

isolated DC-DC converters for Telecom and

Computer applications. It is also suitable for any

application with low gate charge drive

requirements.

Applications

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STD30NF06LAG

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 系列:

    STripFET?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    35A(Tc)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 描述:

    MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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