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STF18N60DM2

N-channel 600 V, 0.260 typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package

Features ?Fast-recoverybodydiode ?Extremelylowgatechargeandinputcapacitance ?Lowon-resistance ?100avalanchetested ?Extremelyhighdv/dtruggedness ?Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETispartoftheMDmeshDM2fastrecovery diodeseries.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STB18N60DM2

Fast-recoverybodydiode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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STP18N60DM2

Extremelyhighdv/dtruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STW18N60DM2

Extremelyhighdv/dtruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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更多STF18N60DM2供應(yīng)商 更新時間2025-3-6 18:35:00