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STP18N60DM2

Extremely high dv/dt ruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STB18N60DM2

Fast-recoverybodydiode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STF18N60DM2

N-channel600V,0.260typ.,12AMDmeshDM2PowerMOSFETinaTO-220FPpackage

Features ?Fast-recoverybodydiode ?Extremelylowgatechargeandinputcapacitance ?Lowon-resistance ?100avalanchetested ?Extremelyhighdv/dtruggedness ?Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETispartoftheMDmeshDM2fastrecovery diodeseries.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STW18N60DM2

Extremelyhighdv/dtruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
STM
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ST(意法半導(dǎo)體)
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TO2203
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更多STP18N60DM2供應(yīng)商 更新時間2025-2-5 14:02:00

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