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STFU13N60M2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

STFU13N60M2
廠商型號

STFU13N60M2

參數(shù)屬性

STFU13N60M2 包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 600V TO-220FP

功能描述

N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmeshTM M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads package
MOSFET N-CH 600V TO-220FP

文件大小

655.2 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-3 10:50:00

STFU13N60M2規(guī)格書詳情

STFU13N60M2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STFU13N60M2晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? Extremely low gate charge

? Lower RDS(on) x area vs previous generation

? Low gate input resistance

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

Description

This device is an N-channel Power MOSFET

developed using MDmesh? M2 technology.

Thanks to its strip layout and an improved vertical

structure, the device exhibits low on-resistance

and optimized switching characteristics,

rendering it suitable for the most demanding high

efficiency converters.

Applications

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STFU13N60M2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    管件

  • 描述:

    MOSFET N-CH 600V TO-220FP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
24+
3
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