STGB10NB40LZT4 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

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原廠料號(hào):STGB10NB40LZT4品牌:ST

ST系列在售,可接長(zhǎng)單

STGB10NB40LZT4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝D2PAK/TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB的STGB10NB40LZT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    STGB10NB40LZT4

  • 規(guī)格書(shū):

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    481.62 kb

  • 資料說(shuō)明:

    N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGB10NB40LZT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 4.5V,10A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    2.4mJ(開(kāi)),5mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    1.3μs/8μs

  • 測(cè)試條件:

    328V,10A,1 千歐,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 440V 20A 150W D2PAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市星辰微電科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    吳先生

  • 手機(jī):

    17375148621

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-82713279

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3011號(hào)上步工業(yè)區(qū)13棟上步工業(yè)區(qū)501棟501棟411