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STGB10NC60K分立半導體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGB10NC60K
廠商型號

STGB10NC60K

參數(shù)屬性

STGB10NC60K 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 20A 65W D2PAK

功能描述

N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
IGBT 600V 20A 65W D2PAK

文件大小

599.36 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體(ST)集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載

更新時間

2024-10-26 18:54:00

STGB10NC60K規(guī)格書詳情

STGB10NC60K屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。意法半導體(ST)集團制造生產(chǎn)的STGB10NC60K晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGB10NC60KT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,5A

  • 開關能量:

    55μJ(開),85μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    17ns/72ns

  • 測試條件:

    390V,5A,10歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 600V 20A 65W D2PAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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