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STGB10NC60K分立半導體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
STGB10NC60K |
參數(shù)屬性 | STGB10NC60K 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 20A 65W D2PAK |
功能描述 | N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT |
文件大小 |
599.36 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
17 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
中文名稱 | 意法半導體(ST)集團官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-10-26 18:54:00 |
STGB10NC60K規(guī)格書詳情
STGB10NC60K屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。意法半導體(ST)集團制造生產(chǎn)的STGB10NC60K晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
STGB10NC60KT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,5A
- 開關能量:
55μJ(開),85μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
17ns/72ns
- 測試條件:
390V,5A,10歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 供應商器件封裝:
D2PAK
- 描述:
IGBT 600V 20A 65W D2PAK
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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