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STGB18N40LZ-1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
STGB18N40LZ-1 |
| 參數(shù)屬性 | STGB18N40LZ-1 封裝/外殼為TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 420V 30A 150W I2PAK |
| 功能描述 | EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT |
| 封裝外殼 | TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA |
| 文件大小 |
636.58 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
18 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-4 19:00:00 |
| 人工找貨 | STGB18N40LZ-1價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
STGB18N40LZ-1規(guī)格書詳情
STGB18N40LZ-1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGB18N40LZ-1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
STGB18N40LZ-1
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
PowerMESH?
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 4.5V，10A
- 輸入類型：
邏輯
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
650ns/13.5μs
- 測(cè)試條件：
300V，10A，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
I2PAK（TO-262）
- 描述：
IGBT 420V 30A 150W I2PAK
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO263 |
20000 |
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詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
9000 |
原裝正品,支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
23+ |
TO263 |
32732 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
TO220MONOC.. |
8866 |
詢價(jià) | |||
ST/意法半導(dǎo)體半導(dǎo)體 |
24+ |
TO263 |
444 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
80000 |
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ST/意法 |
2022+ |
NA |
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ST(意法半導(dǎo)體) |
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D-PAK |
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ST |
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詢價(jià) |
