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STGB12NB60KD分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STGB12NB60KD |
| 參數(shù)屬性 | STGB12NB60KD 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 30A 125W D2PAK |
| 功能描述 | N-CHANNEL 18A - 600V TO-220/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT |
| 封裝外殼 | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
531.51 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
| 中文名稱 | 意法半導體集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-28 23:00:00 |
STGB12NB60KD規(guī)格書詳情
STGB12NB60KD屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGB12NB60KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGB12NB60KDT4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
PowerMESH?
- 包裝：
卷帶（TR）
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，12A
- 開關能量：
258μJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
25ns/96ns
- 測試條件：
480V，12A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 供應商器件封裝：
D2PAK
- 描述：
IGBT 600V 30A 125W D2PAK
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
157 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
ST |
2020+ |
TO263 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO263 |
20000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST |
D2PAK |
93480 |
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
ST/意法 |
22+ |
TO263 |
3000 |
原裝正品,支持實單 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO-263 |
7500 |
詢價 | |||
ST |
22+ |
D2PAK |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
D2PAK |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
8795 |
詢價 | |||
ST/意法 |
23+ |
D2PAK |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 |
