首頁>STGB18N40LZT4>規(guī)格書詳情

STGB18N40LZT4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGB18N40LZT4
廠商型號(hào)

STGB18N40LZT4

參數(shù)屬性

STGB18N40LZT4 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 420V 30A 150W D2PAK

功能描述

EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT
IGBT 420V 30A 150W D2PAK

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

632.91 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-14 15:11:00

STGB18N40LZT4規(guī)格書詳情

STGB18N40LZT4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGB18N40LZT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Description

This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH? technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition system.

Features

■ AEC Q101 compliant

■ 180 mJ of avalanche energy @ TC = 150 °C, L = 3 mH

■ ESD gate-emitter protection

■ Gate-collector high voltage clamping

■ Logic level gate drive

■ Low saturation voltage

■ High pulsed current capability

■ Gate and gate-emitter resistor

Application

■ Pencil coil electronic ignition driver

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGB18N40LZT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 4.5V,10A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    650ns/13.5μs

  • 測(cè)試條件:

    300V,10A,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 420V 30A 150W D2PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
STMicroelectronics
24+
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
詢價(jià)
ST/意法
21+
TO-263-3
5590
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
詢價(jià)
ST/意法
22+
TO-263
9000
原裝正品,支持實(shí)單!
詢價(jià)
ST
24+
D2PAK
12300
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
詢價(jià)
ST/意法
24+
NA
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
STMICROELECTRONICS
937
詢價(jià)
ST/意法
22+
N
28000
原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十
詢價(jià)
STMicroelectronics
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
ST/意法
24+
SOT263
18487
詢價(jià)
ST(意法半導(dǎo)體)
2112+
D-PAK
105000
1000個(gè)/圓盤一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,
詢價(jià)