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STGB3NC120HDT4

7 A, 1200 V very fast IGBT with ultrafast diode

Description ThishighvoltageandveryfastIGBTshowsan excellenttrade-offbetweenlowconductionlosses andfastswitchingperformance.Itisdesignedin PowerMESH?technologycombinedwithhigh voltageultrafastdiode. Features ■Highvoltagecapability ■Highspeed ■Verysoftult

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

詳細參數(shù)

  • 型號:

    STGB3NC120HDT4

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STGB3NC120HDT4供應(yīng)商 更新時間2024-12-24 9:32:00