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STGB50H65FB2中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STGB50H65FB2
廠商型號(hào)

STGB50H65FB2

功能描述

Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package

絲印標(biāo)識(shí)

G50H65FB2

封裝外殼

D2PAK

文件大小

450.16 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 17:10:00

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STGB50H65FB2規(guī)格書詳情

Features

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

? Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 50 A

? Minimized tail current

? Tight parameter distribution

? Low thermal resistance

? Positive VCE(sat) temperature coefficient

Applications

? Welding

? Power factor correction

? UPS

? Solar inverters

? Chargers

Description

The newest IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced

proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is

optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behavior at low current

values, as well as in terms of reduced switching energy. The result is a product

specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法半導(dǎo)體
21+
Si
8860
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)優(yōu)
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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只有原裝,原裝,假一罰十
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ST/意法半導(dǎo)體
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只做原裝正品,賣元器件不賺錢交個(gè)朋友
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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23+
D2PAK
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ST系列在售,可接長單
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