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STGD20N40LZ

Low saturation voltage

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGD20N40LZ

Package:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 390V 25A 125W DPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

20N40

400V,23AN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

20N40CL

SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT

SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresGate–EmitterESDprotection,Gate–CollectorovervoltageprotectionfromSMARTDISCRETES?monolithiccircuitryforusageasanIgnitionCoilDriver. ?TemperatureCompensatedGate–C

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

20N40H

20A竊?00VN-CHANNELMOSFET

KIAKIA Semiconductor Technology

可易亞半導體廣東可易亞半導體科技有限公司

20N40K-MT

N-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

AOTF20N40

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOTF20N40

400V,20AN-ChannelMOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

FDH20N40

20A,400V,0.216Ohm,N-ChannelSMPSPowerMOSFET

Features ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness ?ReducedrDS(ON) ?ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance ?ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI ?175°CRatedJunctionTemperature pp SwitchMo

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDH20N40

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.216Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitch

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    STGD20N40LZ

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 4V,6A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    700ns/4.3μs

  • 測試條件:

    300V,10A,1 千歐,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 390V 25A 125W DPAK

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST
23+
DPAK
12500
ST系列在售,可接長單
詢價
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2024+
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更多STGD20N40LZ供應商 更新時間2025-1-20 18:09:00