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STGF10NC60SD

Marking：GF10NC60SD；Package：TO-220FP；10 A, 600 V fast IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STGF10NC60SD

Package：TO-220-3 整包；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 10A 25W TP220FP

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STGP10NC60H

N-CHANNEL10A-600V-TO-220VERYFASTPowerMESH??IGBT

Generalfeatures ■LOWERON-VOLTAGEDROP(Vcesat) ■LOWERCRES/CIESRATIO(NO CROSS-CONDUCTIONSUSCEPTIBILITY) ■VERYSOFTULTRAFASTRECOVERY ANTIPARALLELDIODE Description Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedon apatentedstriplayout,STMicroelectronicshas designedana

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STGP10NC60H

N-channel10A-600V-TO-220VeryfastPowerMESHTMIGBT

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STGP10NC60H

N-channel10A-600V-TO-220VeryfastPowerMESHIGBT

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STGP10NC60HD

600V-10A-veryfastIGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH? processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STGP10NC60HD

N-channel600V-10A-TO-220-D2PAK-TO-220FPveryfastPowerMESHIGBT

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STGP10NC60HD

N-channel600V-10A-TO-220-D2PAKVeryfastPowerMESHTMIGBT

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STGP10NC60HD

600V-10A-veryfastIGBT

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STGP10NC60K

N-channel600V-10A-D2PAK/TO-220/DPAKShortcircuitratedPowerMESHTMIGBT

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STGF10NC60SD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.65V @ 15V，5A

  • 開關(guān)能量：

    60μJ（開），340μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    19ns/160ns

  • 測試條件：

    390V，5A，10歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220FP

  • 描述：

    IGBT 600V 10A 25W TP220FP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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15年原裝正品企業(yè)
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更多STGF10NC60SD供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 15:02:00

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