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STGP20V60DF

Low thermal resistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP20V60DF

600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

STGP20V60DF

Package:TO-220-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP20V60F

600V,20Averyhighspeedtrenchgatefield-stopIGBT

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW20V60DF

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW20V60DF

600V,20Averyhighspeedtrenchgatefield-stopIGBT

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etc未分類制造商etc2未分類制造商

STGW20V60F

600V,20Averyhighspeedtrenchgatefield-stopIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT20V60DF

600V,20Averyhighspeedtrenchgatefield-stopIGBT

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STGWT20V60DF

Lowthermalresistance

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGP20V60DF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    200μJ(開),130μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    38ns/149ns

  • 測試條件:

    400V,20A,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 167W TO220AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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ST系列在售,可接長單
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更多STGP20V60DF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 14:14:00